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电子元器件详细资料 » IC[27029] » SI6925ADQ-T1-GE3
型号:SI6925ADQ-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)描述:MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C45 毫欧 @ 3.9A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.8V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs6nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大800mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装8-TSSOP
包装Digi-Reel®

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市昭兴微电子有限公司林裕忠0755-23991909
深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
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SI6925ADQ-T1-GE3相关型号

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